ترابرد کوانتومی در گرافین گاف دار

در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آن در ترابرد الکترونی در این ماده مهم می شود. در این پایان نامه به بررسی رسانش و نوفه شلیکی در اتصال گرافین گاف دار شده می پردازیم و اثرات فاز بری را که به صورت شرط مرزی در مسئله وارد می شود، بر این دو کمیت بررسی می کنیم. نشان می دهیم که کمینه رسانش در نقطه دیراک در گرافین گاف دار کاهش می یابد و در رژیم هایی گاف مشاهده شده در رسانش بیش از گاف القا شده توسط زیر لایه می شود، که آن را گاف دینامیکی(ترابردی) می نامیم که قبلا نیز به نوعی در کارهای تجربی مشاهده شده است.